Cedars-Sinai 的一项新研究揭示了经常报告记忆力问题的癫痫患者的记忆力和大脑异常活动之间的关系。数据显示，来自这些患者特定脑细胞的异常电脉冲与一种称为短暂性认知障碍的暂时性记忆中断有关。
了解这一过程有可能改善癫痫患者的治疗，并有助于了解记忆的工作原理。
癫痫是一种神经系统疾病，其特征是大脑活动异常，可引起癫痫发作。根据联邦疾病控制和预防中心的数据，它影响了大约 340 万美国人，占人口的 1%。
“据我们所知，我们的研究首次调查了癫痫中短暂性认知障碍的实际机制，”Cedars-Sinai 神经外科副教授 Ueli Rutishauser 博士说。他是该研究的资深作者，该研究在线发表在JNeurosci杂志上。
为了进行他们的研究，Rutishauser 和他的团队研究了海马体的电活动，海马体是已知对记忆很重要的大脑区域。作为治疗的一部分，该团队使用植入 11 名成年癫痫患者大脑中的电极，记录识别记忆任务期间海马体中单个细胞的活动。
首先向患者展示 100 张新图像。随后，将其中 50 张图像的子集与其他新图像随机混合进行第二次重复。在每张图像之后，患者被问及他们以前是否看过该图像以及他们对自己的回答有多确定。
结果表明，大脑中被称为发作间期癫痫样放电 (IED) 的异常电脉冲暂时改变了海马体中单个细胞的放电。细胞活性的这种变化反过来破坏了患者回忆他们之前是否看过呈现的图像的能力。癫痫患者通常在癫痫发作之间经历简易爆炸装置并报告传递性认知障碍。然而，迄今为止仍不清楚为什么简易爆炸装置会造成这种损害。
Rutishauser 说，在任务期间，记忆中断的程度与 IED 发生的确切时间有关，在患者试图回忆图像的两秒内出现的 IED 造成的最严重损害。他补充说，这种影响是特定于回忆的，简易爆炸装置的存在并没有破坏新记忆的编码。
该研究的第一作者、Cedars-Sinai 神经病学助理教授、医学博士 Chrystal Reed 说，这些发现很重要，因为了解记忆障碍发生的方式和原因有助于制定治疗方案，以改善癫痫患者的生活质量病人。
标签：
免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！