doping

是半导体制程里面离子注入（扩散）工艺的术语，指离子注入（参杂）浓度。，即在形成器件的硅衬底有源区参杂电子（5价离子）或者空穴（3价离子），以达成电性要求。

标签：

免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！