导读 小伙伴们，你们好，今天云生来聊聊一篇关于晶界层电容器，对于晶界层电容器简单介绍的文章,网友们对这件事情都比较关注，那么现在就为大家
小伙伴们，你们好，今天云生来聊聊一篇关于晶界层电容器，对于晶界层电容器简单介绍的文章,网友们对这件事情都比较关注，那么现在就为大家来简单介绍下，希望对各位小伙伴们有所帮助。
1、晶界层电容器是以晶界为介质，而以充分半导电化的晶粒为电极的陶瓷电容器。由于晶界很薄，因此具有很高的显介电常数。70年代末进入批量生产的SrTiO3晶界层电容器，在工业水平介电常数>60000，把常规瓷介质的相对介电常数提高数倍至十倍以上。
2、晶界层电容器虽然有很高的相对介电常数，但在-30～+80℃范围内，电容变化率可控制在±40%内，电容器的可靠性也高，因此可制造超小型大容量电容器。
文章到此就分享结束，希望对大家有所帮助。
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