导读 为了保持其在芯片技术方面的霸主地位，三星电子周五宣布，位于韩国Giheung的新半导体研发(R&D)中心已经开始建设。该公司预计到2028年将在那
为了保持其在芯片技术方面的霸主地位，三星电子周五宣布，位于韩国Giheung的新半导体研发(R&D)中心已经开始建设。该公司预计到2028年将在那里投资约20万亿韩元(150亿美元)。
三星电子渴望通过其新的研发设施超越半导体规模的限制。此外，1992年，世界上第一台64Mb DRAM是在三星电子的Giheung工厂制造的，该工厂位于首尔以南，靠近DS部门的华城校区。
这是该公司在半导体领域占据主导地位的开始。三星在大都市区的三个关键半导体工厂应该与吉兴的新研发设施，华城市的研发线以及平泽市世界上最大的半导体生产综合体更好地合作。
根据世界上最大的存储芯片制造商和第二大芯片合同制造商的说法，位于首尔南部Giheung的新园区很可能会对下一代存储器和系统芯片的设备和程序进行广泛的研究，以及基于长期路线图的先进技术的发展。
来自三星电子的一百多名员工出席了仪式，三星电子副主席Jay Y. Lee，总裁兼首席执行官Kye Hyun Kyung，内存业务总裁Jung-Bae Lee，铸造业务总裁Siyoung Choi和S.LSI Business Yong-In Park总裁。
演讲结束后，李杰伦副主席会见了DS事业部的员工，讨论了公司的创新。根据新闻稿，在与DS部门高管的特别会议上，他们谈到了全球半导体行业的问题，研发发展，以及如何获得技术来发展半导体领导地位。
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