导读 SK海力士公司宣布已开发出新的1Znm 16Gb(千兆位)DDR4存储器。1Znm将提供现有DDR4 DRAM模块中可用的业界最大密度和每片晶圆总容量。
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SK海力士公司宣布已开发出新的1Znm 16Gb(千兆位)DDR4存储器。1Znm将提供现有DDR4 DRAM模块中可用的业界最大密度和每片晶圆总容量。
该公司声称，新型1Znm存储模块的生产率比上一代1Ynm生产线提高了约27%。但是，制造过程不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻，因此1Znm的生产将具有成本效益。
SK hynix 1Znm内存支持高达3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。新的1Znm存储模块提高了电源效率，因此与以前的1YNnm 8Gb DRAM相同密度的模块相比，成功地将功耗降低了约40%。
制造过程中已使用了上一代未使用的新物质，该物质可最大化1Znm产品的电容。电容是电容器可以存储的电荷量，这是DRAM操作中的关键要素。该过程中还引入了一种新的设计，以提高操作稳定性。
“ 1Znm DDR4 DRAM拥有业界最高的密度，速度和功率效率，使其成为满足寻求高性能/高密度DRAM的客户不断变化的需求的最佳产品，” 1Z TF负责人Lee Jung-hoon说。 DRAM开发与业务。“ SK海力士明年将开始批量生产和全面交付，以积极响应市场需求。”
SK海力士已计划将1Znm技术工艺扩展到一系列应用，包括下一代移动LPDDR5 DRAM和HBM3，这将是未来最快的DRAM。
KitGuru说：SK hynix一直在技术进步和改进其产品上。看到在HBM3 DRAM中实现的这种新存储器及其对未来性能的影响将非常有趣。
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